Transistor a canale N FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Diodo Trr (min.): 410 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 52A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 130 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41