Transistor a canale N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor a canale N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.70fr
5-24
1.46fr
25-49
1.30fr
50-99
1.17fr
100+
0.95fr
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Transistor a canale N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1400pF. Costo): 425pF. Diodo Trr (min.): 98 ns. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa. ID (min): 1uA. Id(imp): 174A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 146W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 90 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41

Documentazione tecnica (PDF)
FQP44N10
30 parametri
ID (T=100°C)
30.8A
ID (T=25°C)
43.5A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.03 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1400pF
Costo)
425pF
Diodo Trr (min.)
98 ns
Funzione
Commutazione rapida, carica gate bassa
ID (min)
1uA
Id(imp)
174A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
146W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
19 ns
Td(spento)
90 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Fairchild