Transistor a canale N FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V

Transistor a canale N FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.44fr
5-24
2.15fr
25-49
1.97fr
50-99
1.77fr
100+
1.50fr
Quantità in magazzino: 45

Transistor a canale N FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.033 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2500pF. Costo): 520pF. Diodo Trr (min.): 130 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 182A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 210W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 35 ns. Td(spento): 210 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41

Documentazione tecnica (PDF)
FQP46N15
30 parametri
ID (T=100°C)
32.2A
ID (T=25°C)
45.6A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.033 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2500pF
Costo)
520pF
Diodo Trr (min.)
130 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
1uA
Id(imp)
182A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
210W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
35 ns
Td(spento)
210 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
25V
Prodotto originale del produttore
Fairchild