Transistor a canale N FQP50N06, TO-220, 60V, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, 60V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 35.4A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. C(in): 1180pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 1540pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 440pF. Diodo Trr (min.): 52 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 50A. Id(imp): 200A. Marcatura del produttore: FQP50N06. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41