Transistor a canale N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 37.1A. ID (T=25°C): 52.4A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. C(in): 1250pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 1630pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 445pF. Diodo Trr (min.): 65 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 121W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 52.4A. Id(imp): 210A. Marcatura del produttore: FQP50N06L. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 121W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. RoHS: sì. Spec info: Livello logico. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 80 ns. Tecnologia: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41