Transistor a canale N FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.29 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 955pF. Costo): 100pF. Data di produzione: 201432. Diodo Trr (min.): 690 ns. Funzione: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. ID (min): 10uA. Id(imp): 32A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41