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Transistor a canale N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.50fr
5-24
2.17fr
25-49
1.96fr
50+
1.80fr
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Transistor a canale N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Quantità per scatola: 1. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19
FS10TM12
14 parametri
ID (T=25°C)
10A
Rds sulla resistenza attiva
0.72 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Funzione
Ifsm--30App
Id(imp)
30A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
65W
Quantità per scatola
1
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Mitsubishi Electric Semiconductor