Transistor a canale N FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 1.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1380pF. Costo): 140pF. Funzione: HIGH-SPEED SW.. ID (min): 10uA. Id(imp): 21A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 180 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 30 v. Prodotto originale del produttore: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19