Transistor a canale N G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1800pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 280pF. Diodo Trr (min.): 29 ns. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC. ID (min): n/a. Id(imp): 200A. Marcatura sulla cassa: G60N04K. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6.5 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2500. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Goford Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19