Transistor a canale N GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4650pF. Corrente del collettore: 30A. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Ic(impulso): 60A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Td(acceso): 0.09 ns. Td(spento): 0.3 ns. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.45V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19