Transistor a canale N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V

Transistor a canale N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.48fr
5-14
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Transistor a canale N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Ic(T=100°C): 23A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Collector Peak Current IP [A]: 96A. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 54A. Corrente del collettore: 54A. Data di produzione: 2014/17. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 167W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Funzione: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Ic(impulso): 96A. Marcatura del produttore: 12N60A4D. Marcatura sulla cassa: 12N60A4D. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. RoHS: sì. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 96 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.6V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.6V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

Documentazione tecnica (PDF)
HGTG12N60A4D
40 parametri
Alloggiamento
TO-247
Ic(T=100°C)
23A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247 ( AC )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Collector Peak Current IP [A]
96A
Condizionamento
tubo di plastica
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
54A
Corrente del collettore
54A
Data di produzione
2014/17
Diodo CE
no
Diodo al germanio
no
Dissipazione massima Ptot [W]
167W
Famiglia di componenti
transistor IGBT
Funzione
SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Ic(impulso)
96A
Marcatura del produttore
12N60A4D
Marcatura sulla cassa
12N60A4D
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
167W
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
110 ns
RoHS
Spec info
>100kHz, 390V, 12A
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
96 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
17 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
600V
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
5.6V
Tensione di saturazione VCE(sat)
2V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
5.6V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
2.7V
Tipo di canale
N
Unità di condizionamento
30
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
5.6V
Voltaggio gate/emettitore VGE
20V
Prodotto originale del produttore
Fairchild