Transistor a canale N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 860pF. Corrente del collettore: 15A. Costo): 55pF. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: IGBT ad alta velocità in tecnologia NPT. Ic(impulso): 45A. Marcatura sulla cassa: K15T60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 188 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.05V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35