Transistor a canale N IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1860pF. Corrente del collettore: 50A. Costo): 96pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 200 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop. Ic(impulso): 75A. Marcatura sulla cassa: K25T120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 560 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35