Transistor a canale N IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 440pF. Costo): 30pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Funzione: ID pulse 19A. ID (min): 1uA. Id(imp): 19A. Marcatura sulla cassa: 6R600E6. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 58 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00