Transistor a canale N IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.83 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 785pF. Costo): 33pF. Diodo Trr (min.): 520 ns. Funzione: ID pulse 18A. ID (min): 10uA. Id(imp): 18A. Marcatura sulla cassa: 8R1K0CE. Nota: custodia completamente isolata (2500VAC/60s). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 72 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: -20V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00