Transistor a canale N IPB80N03S4L-02, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 7500pF. Costo): 1900pF. Diodo Trr (min.): 120ns. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Marcatura sulla cassa: 4N03L02. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 62 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00