Transistor a canale N IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2360pF. Costo): 610pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: qualifica automobilistica AEC Q101. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Marcatura sulla cassa: 2N0609. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: resistenza in conduzione ultra bassa. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00