Transistor a canale N IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.8m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 8000pF. Costo): 1700pF. Diodo Trr (min.): 48 ns. Funzione: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 400A. Marcatura sulla cassa: 034N06N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 38 ns. Td(spento): 63 ns. Tecnologia: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00