Transistor a canale N IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0058 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2400pF. Costo): 920pF. ID (min): 0.1uA. Id(imp): 350A. Marcatura sulla cassa: 050N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. RoHS: sì. Td(acceso): 6.7 ns. Td(spento): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Vgs(esimo) massimo: 2.2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00