Transistor a canale N IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 27uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1900pF. Costo): 760pF. Diodo Trr (min.): 40 ns. Funzione: Logic Level, Enhancement mode. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 200A. Marcatura sulla cassa: PN03L06. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 40 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00