Transistor a canale N IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 24V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5790pF. Carica: 160nC. Condizionamento: tubus. Costo): 3440pF. DRUCE CORRENTE: 353A. Diodo Trr (min.): 46 ns. Funzione: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. ID (min): 20uA. Id(imp): 1412A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Polarità: unipolari. Potenza: 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 500mK/W. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 83 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 24V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00