Transistor a canale N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V
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Transistor a canale N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.5m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7360pF. Condizionamento: tubus. Costo): 1680pF. DRUCE CORRENTE: 202A. Diodo Trr (min.): 71 ns. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (min): 20uA. Id(imp): 650A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 750mK/W. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 72 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 40V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00