Transistor a canale N IRF2807PBF, 75V, 0.013 Ohms, 75V. Tensione drain-source (Vds): 75V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Capacità del gate Ciss [pF]: 3820pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 82A. Dissipazione massima Ptot [W]: 230W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 82A. Marcatura del produttore: IRF2807PBF. Numero di terminali: 3. Potenza: 200W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:22