Transistor a canale N IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Transistor a canale N IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.47fr
5-24
3.07fr
25-49
2.59fr
50+
2.33fr
Quantità in magazzino: 97

Transistor a canale N IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7500pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 970pF. Diodo Trr (min.): 41 ns. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (min): 20uA. Id(imp): 680A. Marcatura sulla cassa: IRF2907Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 97 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00

Documentazione tecnica (PDF)
IRF2907Z
32 parametri
ID (T=100°C)
60.4k Ohms
ID (T=25°C)
170A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.035 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
75V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
7500pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
970pF
Diodo Trr (min.)
41 ns
Funzione
AUTOMOTIVE MOSFET
ID (min)
20uA
Id(imp)
680A
Marcatura sulla cassa
IRF2907Z
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
330W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
19 ns
Td(spento)
97 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier