Transistor a canale N IRF3205S, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 3247pF. Costo): 781pF. Diodo Trr (min.): 69 ns. Equivalenti: IRF3205SPBF. Funzione: "Tecnologia di processo avanzata". ID (min): 25nA. Id(imp): 390A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00