Transistor a canale N IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.50fr
5-9
2.53fr
10-19
2.39fr
20-49
2.29fr
50+
2.20fr
| Disponibili altri +20 pezzi in magazzino (consegna entro 4 ore). Contattaci per prezzi e disponibilità! | |
| Quantità in magazzino: 10 |
Transistor a canale N IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 150V. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. : migliorato. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 133.3nC. Confezione: tubus. Corrente di assorbimento massima: 43A. DRUCE CORRENTE: 43A. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 150V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 06:37
IRF3415PBF
16 parametri
Tensione drain-source (Vds)
150V
Rds sulla resistenza attiva
0.042 Ohms
migliorato
Assemblaggio/installazione
THT
Carica
133.3nC
Confezione
tubus
Corrente di assorbimento massima
43A
DRUCE CORRENTE
43A
Polarità
unipolari
Potenza
200W
Tecnologia
HEXFET®
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
150V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies