Transistor a canale N IRF3710PBF, TO220, 100V, 100V. Alloggiamento: TO220. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assemblaggio/installazione: THT. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Capacità del gate Ciss [pF]: 3130pF. Caratteristiche: -. Carica: 86.7nC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. DRUCE CORRENTE: 57A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 57A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 57A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRF3710PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. RoHS: sì. Serie: -. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione drain-source: 100V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:42