Transistor a canale N IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.7M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2980pF. Costo): 1770pF. Diodo Trr (min.): 48 ns. Funzione: DC-DC isolato ad alta frequenza. ID (min): 20uA. Id(imp): 440A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00