Transistor a canale N IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V
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Transistor a canale N IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 180pF. Carica: 8.3nC. Condizionamento: tubus. Costo): 81pF. DRUCE CORRENTE: 4A, 5.6A. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: -. ID (min): 25uA. Id(imp): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Polarità: unipolari. Potenza: 43W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 6.9ns. Td(spento): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 100V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00