Transistor a canale N IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 100V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 9.7A. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 9.7A. Marcatura del produttore: IRF520NPBF. Numero di terminali: 3. Potenza: 48W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.5 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06