Transistor a canale N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
5-9
1.03fr
10-49
1.00fr
50-199
0.89fr
200-799
0.83fr
800+
0.75fr
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Transistor a canale N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Corrente di assorbimento massima: 14A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 14A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Polarità: MOSFET N. Potenza: 75W. Serie: -. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: VISHAY IR. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:35
IRF530PBF
16 parametri
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
100V
Tensione drain-source (Vds)
100V
Rds sulla resistenza attiva
0.16 Ohms
Alloggiamento
TO220AB
Corrente di assorbimento massima
14A
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
14A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
79W
Polarità
MOSFET N
Potenza
75W
Tensione di azionamento
10V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di canale
N
Tipo di montaggio
THT
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
VISHAY IR
Quantità minima
5