Transistor a canale N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1960pF. Carica: 47.3nC. Condizionamento: tubus. Costo): 250pF. DRUCE CORRENTE: 33A. Diodo Trr (min.): 115 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 110A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Polarità: unipolari. Potenza: 140W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1.1K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 100V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:08