Transistor a canale N IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Capacità del gate Ciss [pF]: 575pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 9A. Marcatura del produttore: IRF630N. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 27 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.9 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06