Transistor a canale N IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1160pF. Carica: 44.7nC. Condizionamento: tubus. Costo): 185pF. DRUCE CORRENTE: 18A. Diodo Trr (min.): 167 ns. Funzione: -. ID (min): 25uA. Id(imp): 72A. Marcatura del produttore: IRF640NPBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Polarità: unipolari. Potenza: 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:08