Transistor a canale N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220
Qnéuantità
Prezzo unitario
3-5
1.57fr
6-49
1.52fr
50-149
1.30fr
150-549
1.22fr
550+
1.14fr
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Transistor a canale N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 200V. Tensione drain-source (Vds): 200V. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO220. Caratteristiche: -. Corrente di assorbimento massima: 18A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 18A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Polarità: MOSFET N. Potenza: 125W. Serie: -. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: VISHAY IR. Quantità minima: 3. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:35
IRF640PBF
16 parametri
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
200V
Tensione drain-source (Vds)
200V
Rds sulla resistenza attiva
0.18 Ohms
Alloggiamento
TO220
Corrente di assorbimento massima
18A
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
18A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Polarità
MOSFET N
Potenza
125W
Tensione di azionamento
10V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di canale
N
Tipo di montaggio
THT
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
VISHAY IR
Quantità minima
3