Transistor a canale N IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V. ID (T=25°C): 3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: 2xN-CH 50V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27