Transistor a canale N IRF730, TO-220, 400V, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220AB, 400V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 5.5A. C(in): 700pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 530pF. Carica: 38nC. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 170pF. DRUCE CORRENTE: 3.5A, 5.5A. Diodo Trr (min.): 270 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 5.5A. Id(imp): 22A. Marcatura del produttore: IRF730. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Polarità: unipolari. Potenza: 74W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 1 Ohm. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 38 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione drain-source: 400V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:08