Transistor a canale N IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 770pF. Costo): 190pF. Diodo Trr (min.): 31us. Funzione: circuito integrato per convertitori DC-DC. ID (min): 1uA. Id(imp): 88A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6.9ns. Td(spento): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43