Transistor a canale N IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V
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Transistor a canale N IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 610pF. Carica: 38nC. Condizionamento: tubus. Costo): 160pF. DRUCE CORRENTE: 4.5A, 2.9A. Diodo Trr (min.): 320 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): 25uA. Id(imp): 18A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Polarità: unipolari. Potenza: 74W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 8.2 ns. Td(spento): 42 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43