Transistor a canale N IRF840AS, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Diodo Trr (min.): 422 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 32A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43