Transistor a canale N IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2870pF. Costo): 3480pF. Diodo Trr (min.): 520 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): 50uA. Id(imp): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 22 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43