Transistor a canale N IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V. Tensione drain-source (Vds): 60V. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4520pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente di assorbimento massima: 160A. Costo): 500pF. Diodo Trr (min.): 31 ns. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. ID (min): 20uA. Id(imp): 620A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Potenza: 230W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 40 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43