Transistor a canale N IRFB3307Z, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohm. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4750pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 420pF. Diodo Trr (min.): 33 ns. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. ID (min): 20uA. Id(imp): 512A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 38 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43