Transistor a canale N IRFB3607PBF, TO220AB. Alloggiamento: TO220AB. : migliorato. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 56nC. Confezione: tubus. DRUCE CORRENTE: 80A. Polarità: unipolari. Potenza: 140W. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 75V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 09/11/2025, 09:02