Transistor a canale N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor a canale N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.79fr
5-24
1.55fr
25-49
1.36fr
50-99
1.24fr
100+
1.06fr
Quantità in magazzino: 122

Transistor a canale N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 800pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 74pF. Diodo Trr (min.): 64 ns. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. ID (min): 20uA. Id(imp): 51A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4.9V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43

Documentazione tecnica (PDF)
IRFB4019
32 parametri
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
17A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
80m Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
800pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
74pF
Diodo Trr (min.)
64 ns
Funzione
Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D
ID (min)
20uA
Id(imp)
51A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
80W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
7 ns
Td(spento)
12 ns
Tecnologia
MOSFET audio digitale
Temperatura di funzionamento
-40...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4.9V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier