Transistor a canale N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Transistor a canale N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.87fr
5-24
1.61fr
25-49
1.42fr
50-99
1.29fr
100+
1.11fr
Quantità in magazzino: 49

Transistor a canale N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 80m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 91pF. Diodo Trr (min.): 82 ns. Funzione: Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D. ID (min): 20uA. Id(imp): 52A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7.8 ns. Td(spento): 16 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.9V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43

Documentazione tecnica (PDF)
IRFB4020
32 parametri
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
18A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
80m Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1200pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
91pF
Diodo Trr (min.)
82 ns
Funzione
Parametri chiave ottimizzati per l audio di classe D
ID (min)
20uA
Id(imp)
52A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
100W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
7.8 ns
Td(spento)
16 ns
Tecnologia
MOSFET audio digitale
Temperatura di funzionamento
-40...+175°C
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
4.9V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier