Transistor a canale N IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 3.7m Ohms. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 9620pF. Caratteristiche: -. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente di assorbimento massima: 120A. Costo): 670pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: Commutatore PDP. ID (min): 20uA. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 180A. Id(imp): 670A. Informazioni: -. MSL: -. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 370W. Peso: 1.99g. Polarità: MOSFET N. Potenza: 370W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RDS su (max) @ id, vgs: 4.5m Ohms / 75A / 10V. RoHS: sì. Serie: HEXFET. Td(acceso): 78 ns. Td(spento): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43