Transistor a canale N IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor a canale N IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.44fr
5-24
3.97fr
25-49
3.64fr
50-99
3.41fr
100+
3.02fr
Quantità in magazzino: 40

Transistor a canale N IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4530pF. Costo): 550pF. Diodo Trr (min.): 76 ns. Funzione: Commutatore PDP. ID (min): 20uA. Id(imp): 330A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43

Documentazione tecnica (PDF)
IRFB4228
29 parametri
ID (T=100°C)
59A
ID (T=25°C)
83A
Idss (massimo)
1mA
Rds sulla resistenza attiva
12m Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
4530pF
Costo)
550pF
Diodo Trr (min.)
76 ns
Funzione
Commutatore PDP
ID (min)
20uA
Id(imp)
330A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
330W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
24 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-40...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
International Rectifier