Transistor a canale N IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4560pF. Costo): 390pF. Diodo Trr (min.): 190 ns. Funzione: Amplificatore audio in classe D 300W-500W (mezzo ponte). ID (min): 20uA. Id(imp): 180A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43