Transistor a canale N IRFB4310PBF, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor a canale N IRFB4310PBF, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.06fr
5-24
3.47fr
25-49
3.13fr
50-99
2.93fr
100+
2.59fr
Quantità in magazzino: 155

Transistor a canale N IRFB4310PBF, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.6M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7670pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 540pF. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. ID (min): 20uA. Id(imp): 550A. Marcatura sulla cassa: IRFB4310. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 26 ns. Td(spento): 68 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43

IRFB4310PBF
33 parametri
ID (T=100°C)
92A
ID (T=25°C)
130A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
5.6M Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
7670pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
540pF
Diodo Trr (min.)
45 ns
Funzione
Convertitori DC-DC ad alta frequenza
ID (min)
20uA
Id(imp)
550A
Marcatura sulla cassa
IRFB4310
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
26 ns
Td(spento)
68 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier